RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Comparez
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Note globale
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2102
3157
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link