RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparez
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
37
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2102
3075
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link