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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Comparez
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Note globale
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1857
1778
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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