RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Comparez
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Note globale
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2009
3260
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link