RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Comparez
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Note globale
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Note globale
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2009
3030
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link