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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Comparez
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Note globale
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2125
3505
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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