RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
50
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
50
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1489
2393
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link