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Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparez
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Note globale
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
101
Autour de 73% latence réduite
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
101
Vitesse de lecture, GB/s
7.1
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
969
1382
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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