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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
50
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1899
2374
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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