RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Comparez
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Note globale
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.2
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1731
3178
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link