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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Comparez
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Note globale
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
31
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
18
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1906
3564
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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