RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Comparez
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Note globale
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Note globale
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
38
Autour de -19% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2301
1875
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C7-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link