RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
3096
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link