Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Note globale
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 35
    Autour de 23% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.8 left arrow 11.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 8.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 35
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.9 left arrow 16.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.5 left arrow 13.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1620 left arrow 3306
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons