RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
2336
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link