RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
2537
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link