RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de 59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
66
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
1699
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link