RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2795
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link