RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
3509
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link