RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2804
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link