RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
3771
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link