RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
3648
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link