RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de 59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
66
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
1877
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link