RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de 59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
66
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
1877
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link