RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2690
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link