RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2409
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link