RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2336
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link