RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2336
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair VS2GB1333D3 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link