RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2913
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link