Comparaison de la RAM Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Note globale

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

18 27

Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.4 11.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

18.1 8.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1756 3529

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns