RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2442
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link