RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Comparez
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Note globale
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Note globale
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de 62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.1
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
73
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
5.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1560
1439
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link