RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
50
Autour de -79% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2159
3663
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link