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Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston KF552C40-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston KF552C40-16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KF552C40-16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de -20% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
13.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3343
2704
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
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