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Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston KF552C40-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston KF552C40-16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Kingston KF552C40-16 16GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3343
2880
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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