RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Comparez
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Note globale
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
71
Autour de 44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
71
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2148
1586
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link