RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2148
2659
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link