RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Comparez
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Note globale
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2595
3650
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link