RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Comparez
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Note globale
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2595
3732
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link