RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Comparez
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Note globale
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
37
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2595
2821
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link