RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparez
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Note globale
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
75
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
75
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2595
1763
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link