RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Comparez
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3084
3306
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link