RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Comparez
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
48
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
48
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3084
3061
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link