RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Comparez
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3084
2356
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link