RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparez
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
32
Autour de -33% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3084
2462
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link