RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
39
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3084
3000
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link