RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Comparez
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Note globale
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Note globale
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
37
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
14.9
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3501
2026
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link