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Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Comparez
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Note globale
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
53
Autour de -96% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
2,465.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
27
Vitesse de lecture, GB/s
5,169.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,465.0
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
781
2323
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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