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Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Comparez
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Note globale
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
53
Autour de -23% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,465.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
43
Vitesse de lecture, GB/s
5,169.8
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,465.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
781
2532
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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