RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Comparez
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Note globale
Kingston KP223C-ELD 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KP223C-ELD 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2137
2919
Kingston KP223C-ELD 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link