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Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
Kingston KP223C-ELD 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2137
2288
Kingston KP223C-ELD 2GB Comparaison des RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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