RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
2938
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link